El Consell Executiu del govern català aprovarà aquest dimarts la creació del Centre de Recerca de Semiconductors, segons ha informat El Periódico de Catalunya. El projecte d’Innofab va ser anunciat l’any 2023 pel llavors president de la Generalitat, Pere Aragonès, apuntant que se situaria a Cerdanyola del Vallès. Ara es desencalla aquesta aposta estratègica que busca convertir Catalunya en un hub europeu i un actor clau en el desenvolupament de semiconductors avançats.

El centre estarà ubicat a prop del Sincrotró Alba i comptarà amb la contractació de 200 treballadors. De fet, tindrà una inversió total de 400 milions d’euros, 100 més que els previstos inicialment, i arrancarà aquest mateix any amb una aportació de 3,5 i amb la fase de licitació del projecte d’enginyeria. L’edifici, que està previst que tardi dos anys a construir-se, tindrà 2.000 m² destinats al disseny i producció de xips de materials avançats, de gran importància en sectors com l’electrònica, l’energia o la salut.

Entre els acords que està previst que donin llum verda el Consell Executiu hi ha la creació d’una nova entitat pública de la Generalitat, que assumeixi tasques d’execució i gestió del projecte. Innofab s’emmarca en un pla estratègic per convertir Catalunya en un referent en ciència i reforçar la sobirania tecnològica europea. Al mateix temps, es busca atraure talent de la indústria deep tech, amb llocs de feina altament qualificats del camp científic i tècnic i oferint un entorn únic per les empreses emergents que aportin noves solucions i productes.