IBM ha creat el primer xip del món amb tecnologa de nanoplaques de 2 nanòmetres (nm), el més petit del món. L’avanç pot suposar una millora del 45% en el rendiment i del 75% en eficiència energètica en la diversitat de dispositius que incorporen aquest semiconductor, el que significa quadriplicar la durada de les bateries de telèfons mòbils, reduir el nombre de servidors, accelerar les funcions dels ordinadors portàtils o contribuir a una més ràpida detecció d’objectes en els vehicles autònoms.

La recerca, que pot beneficiar tecnologies emergents com la intel·ligència artificial, el núvol híbrid i la internet de les coses, s’ha dut a terme al laboratori d’IBM a Albany (Nova York) en col·laboració amb socis del sector públic i privat.

Avenços significatius per al mercat

Els resultats de la investigació s’han presentat quatre anys després de la sortida a la llum del xip de 5 nm, que alberga 50.000 milions de transistors en un xip de la grandària de la ungla. Augmentar el nombre de transistors per xip significa que els dissenyadors de processadors tenen més opcions per incorporar innovacions a nivell de nucli i millorar les capacitats de les càrregues de treball com la IA i la computació en el núvol, així com noves vies per a la seguretat i el xifratge reforçat per maquinari.

A més dels semiconductors de 2 i 5 nm, IBM també va ser pionera en el disseny del component de 7 nm, la DRAM de cèl·lula única, les lleis d'escalat de Dennard, les fotoresistències químicament amplificades, el cablejat d'interconnexió de coure, la tecnologia de silici sobre aïllant, els microprocessadors multinucli, els dielèctrics de porta d'alta k, la DRAM integrada i l'apilament de xips en 3D.